驅(qū)動(dòng)器 LT1910ES8#TRPBF 柵極
發(fā)布時(shí)間：2018/12/28
LT1910ES8#TRPBF介紹：
描述 IC MOSFET DRIVER HIGH-SIDE 8SOIC
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 12 周
詳細(xì)描述 High-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
類別 集成電路（IC）
PMIC - 柵極驅(qū)動(dòng)器
制造商 Linear Technology/Analog Devices
系列 -
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
驅(qū)動(dòng)配置 高壓側(cè)
通道類型 單路
驅(qū)動(dòng)器數(shù) 1
柵極類型 N 溝道 MOSFET
電壓 - 電源 8 V ~ 48 V
邏輯電壓 - VIL，VIH 0.8V，2V
電流 - 峰值輸出（灌入，拉出） -
輸入類型 非反相
上升/下降時(shí)間（典型值） -
工作溫度 -40°C ~ 85°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝 8-SOIC
基本零件編號(hào) LT1910
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在計(jì)算機(jī)領(lǐng)域，驅(qū)動(dòng)器指的是磁盤驅(qū)動(dòng)器。通過某個(gè)文件系統(tǒng)格式化并帶有一個(gè)驅(qū)動(dòng)器號(hào)的存儲(chǔ)區(qū)域。存儲(chǔ)區(qū)域可以是軟盤、CD、硬盤或其他類型的磁盤。單擊"Windows資源管理器"或"我的電腦"中相應(yīng)的圖標(biāo)可以查看驅(qū)動(dòng)器的內(nèi)容。
2018年，BOM成本的增長是手機(jī)價(jià)格增長的主要原因，這也導(dǎo)致了手機(jī)市場增長的停滯。2019年，這種趨勢(shì)還會(huì)繼續(xù)。手機(jī)核心供應(yīng)鏈上，BOM增長比較快的三大部分：是屏幕、存儲(chǔ)器、處理器，三部分成本上升最為明顯。智能手機(jī)廠商正通過提供 AI 人工智能、雙攝像頭、全面屏和更高內(nèi)存配置等附加功能，微妙地提高設(shè)備的平均售價(jià)。
