晶體管 FDMC8026S MOSFET - 單
發(fā)布時間：2018/10/19
FDMC8026S介紹：
描述 MOSFET N-CH 30V 19A 8MLP
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 39 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 30V 19A（Ta），21A（Tc） 2.4W（Ta），36W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench?，SyncFET??
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 19A（Ta），21A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 4.4 毫歐 @ 19A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 52nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 3165pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.4W（Ta），36W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 8-MLP（3.3x3.3）
封裝/外殼 8-PowerWDFN
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晶體管在電路最常用的用途應(yīng)該是屬于信號放大這一方面，其次是阻抗匹配、信號轉(zhuǎn)換等，晶體管在電路中是個很重要的元件，許多精密的組件主要都是由晶體管制成的。
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