晶體管 FQA6N90C MOSFET
發布時間：2018/10/9
FQA6N90C介紹：
描述 MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
制造商標準提前期 10 周
詳細描述 通孔 N 溝道 900V 6A（Tc） 198W（Tc） TO-3PN
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 QFET?
包裝 管件
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 900V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 6A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 2.3 歐姆 @ 3A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 40nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1770pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 198W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-3PN
封裝/外殼 TO-3P-3，SC-65-3
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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無論多么優良的電子管，都將因陰極原子的變化和慢性漏氣而逐漸劣化。由于技術上的原因，晶體管制作之初也存在同樣的問題。隨著材料制作上的進步以及多方面的改善，晶體管的壽命一般比電子管長100到1000倍，稱得起永久性器件的美名。晶體管是非常有優勢的。
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