晶體管 SI1404BDH-T1-E3 半導體產品
發布時間：2018/9/27
SI1404BDH-T1-E3介紹：
描述 MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363
制造商標準提前期 13 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 30V 1.9A（Ta），2.37A（Tc） 1.32W（Ta），2.28W（Tc） SC-70-6（SOT-363）
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包裝 帶卷（TR）
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 1.9A（Ta），2.37A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 238 毫歐 @ 1.9A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1.3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 2.7nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 100pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.32W（Ta），2.28W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 SC-70-6（SOT-363）
封裝/外殼 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關，和一般機械開關（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關速度可以非常之快，在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
威世隨后采取了一些較小規模的對無源元件制造廠商的收購。 在2000年收購了伊萊克芬(Electro-Films)、思拉麥特(Cera-Mite)和思伯喬(Spectrol)，在2001年收購了銓斯特(Tansitor)和北美電容器公司(馬洛里)【North American Capacitor Company (Mallory) 】。
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