晶體管 SI6562CDQ-T1-GE3 MOSFET
發布時間：2018/9/7
SI6562CDQ-T1-GE3介紹：
描述 MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP
詳細描述 Mosfet Array N and P-Channel 20V 6.7A, 6.1A 1.6W, 1.7W Surface Mount 8-TSSOP
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包裝 帶卷（TR）
零件狀態 在售
FET 類型 N 和 P 溝道
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 6.7A，6.1A
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 22 毫歐 @ 5.7A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 23nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 850pF @ 10V
功率 - 最大值 1.6W，1.7W
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
供應商器件封裝 8-TSSOP
基本零件編號 SI6562
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晶體管在電路最常用的用途應該是屬于信號放大這一方面，其次是阻抗匹配、信號轉換等，晶體管在電路中是個很重要的元件，許多精密的組件主要都是由晶體管制成的。
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