晶體管 PHE13003C126 雙極 (BJT) - 單
發布時間：2018/8/29
PHE13003C126介紹：
描述 TRANS NPN 400V 1.5A SOT54
詳細描述 Bipolar (BJT) Transistor NPN 400V 1.5A 2.1W Through Hole TO-92-3
類別 分立半導體產品
晶體管 - 雙極 (BJT) - 單
制造商 WeEn Semiconductors
系列 -
包裝 帶盒（TB）
零件狀態 在售
晶體管類型 NPN
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 1.5A
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 400V
不同 Ib，Ic 時的 Vce 飽和值（最大值） 1.5V @ 500mA，1.5A
電流 - 集電極截止（最大值） 100μA
不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值） 5 @ 1A，2V
功率 - 最大值 2.1W
頻率 - 躍遷 -
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）
供應商器件封裝 TO-92-3
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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無論多么優良的電子管，都將因陰極原子的變化和慢性漏氣而逐漸劣化。由于技術上的原因，晶體管制作之初也存在同樣的問題。隨著材料制作上的進步以及多方面的改善，晶體管的壽命一般比電子管長100到1000倍，稱得起永久性器件的美名。
WeEn Semiconductors Co., Ltd- WeEn Semiconductors Co., Ltd 是 NXP Semiconductors 與北京建工資產管理有限公司（JAC Capital）的全球合資企業。WeEn Semiconductors 于 2016 年 1 月 19 日正式開業，業務和運營中心位于中國上海。WeEn Semiconductors 在中國江西省省會南昌市注冊。 |
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