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晶體管 IPI072N10N3GXKSA1 MOSFET - 單

發布時間:2018/8/8

IPI072N10N3GXKSA1介紹:

描述 MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3

詳細描述 通孔 N 溝道 100V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO262-3

類別 分立半導體產品

晶體管 - FET,MOSFET - 單

制造商 Infineon Technologies

系列 OptiMOS??

包裝 ? 管件 ?

零件狀態 在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss) 100V

電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 80A(Tc)

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V

不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 7.2 毫歐 @ 80A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 90μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 68nC @ 10V

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 4910pF @ 50V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 150W(Tc)

工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型 通孔

供應商器件封裝 PG-TO262-3

封裝/外殼 TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA

安富利(深圳)商貿有限公司介紹:


公司所銷售產品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

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MOSFET在概念上屬于“絕緣柵極場效晶體管”(Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET),而IGFET的柵極絕緣層有可能是其他物質而非MOSFET使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶硅柵極的場效晶體管元件時比較喜歡用IGFET,但是這些IGFET多半指的是MOSFET。

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