晶體管 DRA2143E0L 雙極 (BJT) - 單
發布時間：2018/8/6
DRA2143E0L介紹：
描述 TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
制造商標準提前期 11 周
詳細描述 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount Mini3-G3-B
類別 分立半導體產品
晶體管 - 雙極 (BJT) - 單，預偏置
制造商 Panasonic Electronic Components
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
晶體管類型 PNP - 預偏壓
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 100mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 50V
電阻器 - 基底（R1） 4.7 kOhms
電阻器 - 發射極基底（R2） 4.7 kOhms
不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值） 20 @ 5mA，10V
不同 Ib，Ic 時的 Vce 飽和值（最大值） 250mV @ 500μA，10mA
電流 - 集電極截止（最大值） 500nA
功率 - 最大值 200mW
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商器件封裝 迷你型3-G3-B
基本零件編號 DRA2143
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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無論多么優良的電子管，都將因陰極原子的變化和慢性漏氣而逐漸劣化。由于技術上的原因，晶體管制作之初也存在同樣的問題。隨著材料制作上的進步以及多方面的改善，晶體管的壽命一般比電子管長100到1000倍，稱得起永久性器件的美名。
