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晶體管 IRFB7434PBF FET

發(fā)布時間:2018/8/6

IRFB7434PBF介紹:
描述 MOSFET N CH 40V 195A TO220
詳細描述 通孔 N 溝道 40V 195A(Tc) 294W(Tc) TO-220AB
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?,StrongIRFET?
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 195A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 1.6 毫歐 @ 100A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 324nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 10820pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 294W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-220AB
封裝/外殼 TO-220-3
安富利(深圳)商貿(mào)有限公司介紹:

公司所銷售產(chǎn)品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
ATMEL(愛特梅爾)、STC單片機、英特爾(Intel) 、德州儀器(TI)、飛利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美國仿真器件(ADI)、國際整流器(IR)、
臺灣硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞薩(Renesas)、東芝(Toshiba)、意法(ST)、
摩托羅拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美國美商半導(dǎo)體(AMD)、愛特梅爾(Atmel)、安捷倫;

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地址:深圳市前海深港合作區(qū)前灣一路1號A棟201
電話:0755-23941780

判定柵極G:將萬用表撥至R×1k檔,用萬用表的負極任意接一電極,另一只表筆依次去接觸其余的兩個極,測其電阻.若兩次測得的電阻值近似相等,則負表筆所接觸的為柵極,另外兩電極為漏極和源極.漏極和源極互換,若兩次測出的電阻都很大,則為N溝道;若兩次測得的阻值都很小,則為P溝道。



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