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晶體管 LND250K1 FET-MOSFET

發布時間:2018/7/23

LND250K1介紹:

描述 MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3

制造商標準提前期 6 周

詳細描述 表面貼裝 N 溝道 500V 13mA(Tj) 360mW(Ta) SOT-23(TO-236AB)

類別 分立半導體產品

晶體管 - FET,MOSFET - 單

制造商 Microchip Technology

系列 -

包裝 ? 帶卷(TR) ?

零件狀態 在售

FET 類型 N 溝道

技術 MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss) 500V

電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 13mA(Tj)

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 0V

不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 1000 歐姆 @ 500μA,0V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) -

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 10pF @ 25V

FET 功能 耗盡模式

功率耗散(最大值) 360mW(Ta)

工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型 表面貼裝

供應商器件封裝 SOT-23(TO-236AB)

封裝/外殼 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

安富利(深圳)商貿有限公司介紹:


公司所銷售產品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

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判定柵極G:將萬用表撥至R×1k檔,用萬用表的負極任意接一電極,另一只表筆依次去接觸其余的兩個極,測其電阻.若兩次測得的電阻值近似相等,則負表筆所接觸的為柵極,另外兩電極為漏極和源極.漏極和源極互換,若兩次測出的電阻都很大,則為N溝道;若兩次測得的阻值都很小,則為P溝道。


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