晶體管 FDC3535 FET-MOSFET
發布時間：2018/7/20
?FDC3535介紹：
描述 MOSFET P-CH 80V 6-SSOT
制造商標準提前期 30 周
詳細描述 表面貼裝 P 溝道 80V 2.1A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 P 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 80V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 2.1A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 183 毫歐 @ 2.1A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 20nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 880pF @ 40V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 SuperSOT?-6
封裝/外殼 SOT-23-6 細型，TSOT-23-6
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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晶體管在使用上有許多要注意的最大額定值，例如最大電壓、最大電流、最大功率。在超額的狀態下使用，晶體管內部的結構會被破壞。每種型號的晶體管還有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪訊比等，可以借由晶體管規格表或是Data Sheet得知。?
