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晶體管 FQB11P06 MOSFET - 單

發布時間:2018/7/19

FQB11P06介紹:
描述 MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK
制造商標準提前期 4 周
詳細描述 表面貼裝 P 溝道 60V 11.4A(Tc) 3.13W(Ta),53W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 QFET?
包裝 ? 帶卷(TR) ?
零件狀態 在售
FET 類型 P 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 60V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 11.4A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 175 毫歐 @ 5.7A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 17nC @ 10V
Vgs(最大值) ±25V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 550pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.13W(Ta),53W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 D2PAK(TO-263AB)
封裝/外殼 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
安富利(深圳)商貿有限公司介紹:

公司所銷售產品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
ATMEL(愛特梅爾)、STC單片機、英特爾(Intel) 、德州儀器(TI)、飛利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美國仿真器件(ADI)、國際整流器(IR)、
臺灣硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞薩(Renesas)、東芝(Toshiba)、意法(ST)、
摩托羅拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美國美商半導體(AMD)、愛特梅爾(Atmel)、安捷倫;

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以金氧半場效晶體管(MOSFET)的命名來看,事實上會讓人得到錯誤的印象。因為MOSFET跟英文單字“metal(金屬)”的第一個字母M,在當下大部分同類的組件里是不存在的。早期金氧半場效晶體管柵極使用金屬作為材料,但隨著半導體技術的進步,現代的金氧半場效晶體管柵極已用多晶硅取代了金屬。
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