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晶體管 - FET SIHB30N60E-GE3 MOSFET

發(fā)布時間:2018/7/19

SIHB30N60E-GE3介紹:

描述 MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

詳細描述 表面貼裝 N 溝道 600V 29A(Tc) 250W(Tc) D2PAK

類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

晶體管 - FET,MOSFET - 單

制造商 Vishay Siliconix

系列 -

包裝 ? 管件 ?

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 N 溝道

技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss) 600V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 29A(Tc)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V

不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 125 毫歐 @ 15A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 10V

Vgs(最大值) ±30V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 100V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 250W(Tc)

工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型 表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝 D2PAK

封裝/外殼 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

安富利(深圳)商貿(mào)有限公司介紹:


公司所銷售產(chǎn)品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

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MOSFET的核心是位于中央的MOS電容,而左右兩側(cè)則是它的源極與漏極。源極與漏極的特性必須同為n-type(即NMOS)或是同為p-type(即PMOS)。

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