晶體管 EMD3T2R 陣列 - 預偏置
發布時間：2018/7/18
EMD3T2R介紹：
描述 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
制造商標準提前期 10 周
詳細描述 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
類別 分立半導體產品
晶體管 - 雙極 (BJT) - 陣列 - 預偏置
制造商 Rohm Semiconductor
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
晶體管類型 1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 100mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 50V
電阻器 - 基底（R1） 10 千歐
電阻器 - 發射極基底（R2） 10 千歐
不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值） 30 @ 5mA，5V
不同 Ib，Ic 時的 Vce 飽和值（最大值） 300mV @ 500μA，10mA
電流 - 集電極截止（最大值） 500nA
頻率 - 躍遷 250MHz
功率 - 最大值 150mW
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 SOT-563，SOT-666
供應商器件封裝 EMT6
基本零件編號 *MD3
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理論上和實際證明，不同種類的晶體管可以在低于1伏到上千伏電壓下工作，而電子管的第二電源（乙電）最低也要數伏，最高也就1000多伏，所以晶體管能被用在更廣泛的電路中，使其他優勢得以發揮。
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