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晶體管 - IGBT FS75R12KE3 半導體產品

發布時間:2018/7/18

FS75R12KE3介紹:
描述 IGBT MODULE 1200V 75A
制造商標準提前期 48 周
詳細描述 IGBT Module NPT Three Phase Inverter 1200V 105A 350W Chassis Mount Module
類別 分立半導體產品
晶體管 - IGBT - 模塊
制造商 Infineon Technologies
系列 -
零件狀態 在售
IGBT 類型 NPT
配置 三相反相器
電壓 - 集射極擊穿(最大值) 1200V
電流 - 集電極(Ic)(最大值) 105A
功率 - 最大值 350W
不同 Vge,Ic 時的 Vce(on) 2.15V @ 15V,75A
電流 - 集電極截止(最大值) 5mA
不同 Vce 時的輸入電容(Cies) 5.3nF @ 25V
輸入 標準
NTC 熱敏電阻
工作溫度 150°C(TJ)
安裝類型 底座安裝
封裝/外殼 模塊
供應商器件封裝 模塊
基本零件編號 V24B5H200
安富利(深圳)商貿有限公司介紹:

公司所銷售產品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
ATMEL(愛特梅爾)、STC單片機、英特爾(Intel) 、德州儀器(TI)、飛利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美國仿真器件(ADI)、國際整流器(IR)、
臺灣硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞薩(Renesas)、東芝(Toshiba)、意法(ST)、
摩托羅拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美國美商半導體(AMD)、愛特梅爾(Atmel)、安捷倫;

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電話:0755-83259719

在雙極性晶體管中,射極到基極的很小的電流,會使得發射極到集電極之間,產生大電流;在場效應晶體管中,在柵極施加小電壓,來控制源極和泄極之間的電流。
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