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晶體管 FGP10N60UNDF MOSFET - 單

發布時間:2018/7/18

FGP10N60UNDF 介紹:
描述 IGBT 600V 20A 139W TO220-3
詳細描述 IGBT NPT 600V 20A 139W Through Hole TO-220-3
類別 分立半導體產品
晶體管 - UGBT,MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包裝 ? 管件 ?
零件狀態 在售
IGBT 類型 NPT
電壓 - 集射極擊穿(最大值) 600V
電流 - 集電極(Ic)(最大值) 20A
脈沖電流 - 集電極 (Icm) 30A
不同 Vge,Ic 時的 Vce(on) 2.45V @ 15V,10A
功率 - 最大值 139W
開關能量 150μJ(開),50μJ(關)
輸入類型 標準
柵極電荷 37nC
25°C 時 Td(開/關)值 8ns/52.2ns
測試條件 400V,10A,10 歐姆,15V
反向恢復時間(trr) 37.7ns
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-220-3
供應商器件封裝 TO-220-3
安富利(深圳)商貿有限公司介紹:

公司所銷售產品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
ATMEL(愛特梅爾)、STC單片機、英特爾(Intel) 、德州儀器(TI)、飛利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美國仿真器件(ADI)、國際整流器(IR)、
臺灣硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞薩(Renesas)、東芝(Toshiba)、意法(ST)、
摩托羅拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美國美商半導體(AMD)、愛特梅爾(Atmel)、安捷倫;

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在雙極性晶體管中,射極到基極的很小的電流,會使得發射極到集電極之間,產生大電流;在場效應晶體管中,在柵極施加小電壓,來控制源極和泄極之間的電流。
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