存儲器 71124S12YG 集成電路
發(fā)布時間：2018/7/17
71124S12YG介紹：
描述 IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 10 周
詳細(xì)描述 SRAM - 異步 存儲器 IC 1Mb （128K x 8） 并聯(lián) 12ns 32-SOJ
類別 集成電路（IC）
存儲器
制造商 IDT, Integrated Device Technology Inc
系列 -
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
存儲器類型 易失
存儲器格式 SRAM
技術(shù) SRAM - 異步
存儲容量 1Mb （128K x 8）
寫周期時間 - 字，頁 12ns
訪問時間 12ns
存儲器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 4.5 V ~ 5.5 V
工作溫度 0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 32-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝 32-SOJ
基本零件編號 IDT71124
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外存通常是磁性介質(zhì)或光盤等，能長期保存信息。內(nèi)存指主板上的存儲部件，用來存放當(dāng)前正在執(zhí)行的數(shù)據(jù)和程序，但僅用于暫時存放程序和數(shù)據(jù)，關(guān)閉電源或斷電，數(shù)據(jù)會丟失。?
