晶體管 FDD3706 FET
發布時間：2018/5/16
FDD3706介紹：
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 14.7A（Ta），50A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 23nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1882pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），44W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 9 毫歐 @ 16.2A，10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 D-PAK（TO-252AA）
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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在雙極性晶體管中，射極到基極的很小的電流，會使得發射極到集電極之間，產生大電流；在場效應晶體管中，在柵極施加小電壓，來控制源極和泄極之間的電流。
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