晶體管 FCPF190N60E FET
發布時間：2018/5/14
FCPF190N60E介紹：
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 SuperFET? II
包裝 ? 管件 ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 600V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 20.6A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 82nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 3175pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 39W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 190 毫歐 @ 10A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-220F-3
封裝/外殼 TO-220-3 整包
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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