晶體管FQD7N20LTF FET
發(fā)布時間：2018/5/4
FQD7N20LTF介紹：
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 QFET?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 停產
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 200V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 5.5A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 9nC @ 5V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 500pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），45W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 750 毫歐 @ 2.75A，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 D-Pak
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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晶體管有三個極；雙極性晶體管的三個極，分別由N型跟P型組成發(fā)射極（Emitter）、基極(Base) 和集電極（Collector）;場效應晶體管的三個極，分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）。
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