晶體管 IXFN36N100 MOSFET - 單
發布時間：2018/5/4
IXFN36N100介紹：
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 IXYS
系列 HiPerFET??
包裝 ? 管件 ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 1000V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 36A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 8mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 380nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 9200pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 700W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 240 毫歐 @ 500mA，10V
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 底座安裝
供應商器件封裝 SOT-227B
封裝/外殼 SOT-227-4，miniBLOC
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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