晶體管HN4K03JU MOSFET
發布時間：2018/5/2
HN4K03JU介紹：
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 停產
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 100mA（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） -
Vgs（最大值） 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 8.5pF @ 3V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 200mW（Ta）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 12歐姆 @ 10mA，2.5V
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 USV
封裝/外殼 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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