SDRAM MT47H64M16NF-25E:M 存儲器
發(fā)布時間：2018/4/8
MT47H64M16NF-25E:M介紹；
描述 IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 84FBGA
對無鉛要求的達標(biāo)情況 / 對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標(biāo)情況 無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 3（168 小時）
詳細(xì)描述 SDRAM - DDR2 存儲器 IC 1Gb （64M x 16） 并聯(lián) 400MHz 400ps 84-FBGA（8x12.5）
類別 集成電路（IC）
存儲器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
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零件狀態(tài) 在售
存儲器類型 易失
存儲器格式 DRAM
技術(shù) SDRAM - DDR2
存儲容量 1Gb （64M x 16）
時鐘頻率 400MHz
寫周期時間 - 字，頁 15ns
訪問時間 400ps
存儲器接口 并聯(lián)
電壓 - 電源 1.7 V ~ 1.9 V
工作溫度 0°C ~ 85°C（TC）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 84-TFBGA
供應(yīng)商器件封裝 84-FBGA（8x12.5）
基本零件編號 MT47H64M16
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以存儲體（大量存儲單元組成的陣列）為核心，加上必要的地址譯碼、讀寫控制電路，即為存儲集成電路；再加上必要的I/O接口和一些額外的電路如存取策略管理，則形成存儲芯片，比如手機中常用的存儲芯片。得益于新的IC制造或芯片封裝工藝，現(xiàn)在已經(jīng)有能力把DRAM和FLASH存儲單元集成在單芯片里。存儲芯片再與控制芯片（負(fù)責(zé)復(fù)雜的存取控制、存儲管理、加密、與其他器件的配合等）及時鐘、電源等必要的組件集成在電路板上構(gòu)成整機，就是一個存儲產(chǎn)品，如U盤。從存儲單元（晶體管陣列）到存儲集成電路再到存儲設(shè)備，都是為了實現(xiàn)信息的存儲，區(qū)別是層次的不同。