IRF9Z24 IR 分立半導體產品 晶體管 - FET，MOSFET - 單
發布時間：2017/6/2
零件編號 IRF9Z24-ND
制造商 Vishay Siliconix
制造商零件編號 IRF9Z24
含鉛 / 不符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
產品
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 -
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零件狀態 過期
FET 類型 P 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源極電壓（Vdss） 60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 11A（Tc）
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 19nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 570pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 60W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 280 毫歐 @ 6.6A，10V
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-220AB
封裝/外殼 TO-220-3
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