FDV301N 集成電路IC
發(fā)布時(shí)間：2019/5/21
FDV301N介紹：
制造商: ON Semiconductor
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 25 V
Id-連續(xù)漏極電流: 220 mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 5 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: 8 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 350 mW
配置: Single
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
高度: 1.2 mm
長度: 2.9 mm
產(chǎn)品: MOSFET Small Signal
系列: FDV301N
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: FET
寬度: 1.3 mm
商標(biāo): ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導(dǎo) - 最小值: 0.2 S
下降時(shí)間: 6 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 6 ns
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 3.5 ns
典型接通延遲時(shí)間: 3.2 ns
零件號(hào)別名: FDV301N_NL
單位重量: 31 mg
安富利（深圳）商貿(mào)有限公司介紹：
公司所銷售產(chǎn)品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、ATMEL(愛特梅爾)、STC單片機(jī)、英特爾(Intel) 、德州儀器(TI)、飛利浦(Philip）、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美國仿真器件(ADI)、國際整流器(IR)、臺(tái)灣硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞薩(Renesas)、東芝(Toshiba)、意法(ST)、摩托羅拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美國美商半導(dǎo)體(AMD)、愛特梅爾(Atmel）、安捷倫;
安富利（深圳）商貿(mào)有限公司，全球最專業(yè)的配單專家。一手貨源!價(jià)格優(yōu)勢(shì)！所出的物料，絕對(duì)原裝正品！ 放心購買！本公司為一般納稅人，可開13%增值稅票！歡迎垂詢！ 地址：深圳市前海深港合作區(qū)前灣一路1號(hào)A棟201.
