晶體管 STP40NF10 半導(dǎo)體產(chǎn)品
發(fā)布時(shí)間：2018/11/1
STP40NF10介紹：
描述 MOSFET N-CH 100V 50A TO-220
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 38 周
詳細(xì)描述 通孔 N 溝道 100V 50A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 STMicroelectronics
系列 STripFET?? II
包裝 管件
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 100V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 50A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 28 毫歐 @ 25A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 62nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 2180pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 150W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-220AB
封裝/外殼 TO-220-3
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無論多么優(yōu)良的電子管，都將因陰極原子的變化和慢性漏氣而逐漸劣化。由于技術(shù)上的原因，晶體管制作之初也存在同樣的問題。隨著材料制作上的進(jìn)步以及多方面的改善，晶體管的壽命一般比電子管長100到1000倍，稱得起永久性器件的美名。
在移動(dòng)多媒體、機(jī)頂盒和計(jì)算機(jī)外設(shè)等要求嚴(yán)格的應(yīng)用領(lǐng)域，意法半導(dǎo)體是利用平臺(tái)式設(shè)計(jì)方法開發(fā)復(fù)雜IC的開拓者，并不斷對(duì)這種設(shè)計(jì)方法進(jìn)行改進(jìn)。意法半導(dǎo)體擁有比例均衡的產(chǎn)品組合，能夠滿足所有微電子用戶的需求。
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