晶體管 NTJD4001NT1G MOSFET
發布時間：2018/10/23
NTJD4001NT1G介紹：
描述 MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT-363
制造商標準提前期 37 周
詳細描述 2 個 N 溝道（雙） Mosfet 陣列 30V 250mA 272mW 表面貼裝 SC-88/SC70-6/SOT-363
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包裝 帶卷（TR）
零件狀態 在售
FET 類型 2 個 N 溝道（雙）
FET 功能 標準
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 250mA
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 1.5 歐姆 @ 10mA，4V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 100μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 1.3nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 33pF @ 5V
功率 - 最大值 272mW
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應商器件封裝 SC-88/SC70-6/SOT-363
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在雙極性晶體管中，射極到基極的很小的電流，會使得發射極到集電極之間，產生大電流；在場效應晶體管中，在柵極施加小電壓，來控制源極和泄極之間的電流。在模擬電路中，晶體管用于放大器、音頻放大器、射頻放大器、穩壓電路；在計算機電源中，主要用于開關電源。
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