晶體管 RJK03M2DPA-00-J5A MOSFET - 單
發(fā)布時間：2018/10/10
RJK03M2DPA-00-J5A介紹：
描述 MOSFET N-CH 30V 45A WPAK
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 30V 45A（Ta） 40W（Tc） 8-WPAK
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Renesas Electronics America
系列 -
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 45A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 2.8 毫歐 @ 22.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） -
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 21.2nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 3850pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 40W（Tc）
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 8-WPAK
封裝/外殼 8-WFDFN 裸露焊盤
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晶體管在使用上有許多要注意的最大額定值，例如最大電壓、最大電流、最大功率。在超額的狀態(tài)下使用，晶體管內(nèi)部的結(jié)構(gòu)會被破壞。每種型號的晶體管還有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪訊比等，可以借由晶體管規(guī)格表或是Data Sheet得知。
Renesas Electronics是一家在全球范圍內(nèi)擁有市場領(lǐng)先的出色產(chǎn)品組合的半導(dǎo)體公司。Renesas擁有的各類領(lǐng)先技術(shù)和能力可為專注于人類需求的時代提供所需的一切，包括安全技術(shù)、微型化和節(jié)能技術(shù)、網(wǎng)絡(luò)以及接口技術(shù)。Renesas致力于保持領(lǐng)先地位，成為真正的智能芯片解決方案提供商 — 其領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者。
