晶體管 FDS6912A MOSFET
發布時間：2018/10/9
FDS6912A介紹：
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
制造商標準提前期 6 周
詳細描述 2 個 N 溝道（雙） Mosfet 陣列 30V 6A 900mW 表面貼裝 8-SO
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench?
包裝 帶卷（TR）
零件狀態 在售
FET 類型 2 個 N 溝道（雙）
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 6A
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 28 毫歐 @ 6A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 8.1nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 575pF @ 15V
功率 - 最大值 900mW
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商器件封裝 8-SO
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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