晶體管 HGTG11N120CND MOSFET - 單
發(fā)布時(shí)間：2018/9/29
HGTG11N120CND介紹：
描述 IGBT 1200V 43A 298W TO247
詳細(xì)描述 IGBT NPT 1200V 43A 298W Through Hole TO-247
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - UGBT，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包裝 管件
零件狀態(tài) 不適用於新設(shè)計(jì)
IGBT 類型 NPT
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 1200V
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 43A
脈沖電流 - 集電極 (Icm) 80A
不同 Vge，Ic 時(shí)的 Vce（on） 2.4V @ 15V，11A
功率 - 最大值 298W
開(kāi)關(guān)能量 950μJ（開(kāi)），1.3mJ（關(guān)）
輸入類型 標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷 100nC
25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值 23ns/180ns
測(cè)試條件 960V，11A，10 歐姆，15V
反向恢復(fù)時(shí)間（trr） 70ns
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝 TO-247
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