比較器 LM311DR 集成電路
發(fā)布時(shí)間：2018/9/27
LM311DR介紹：
描述 IC DIFF COMP STROBE 8-SOIC
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 8 周
詳細(xì)描述 通用 比較器 MOS，開路集電極，開路發(fā)射極，TTL 8-SOIC
類別 集成電路（IC）
線性 - 比較器
制造商 Texas Instruments
系列 -
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
類型 通用
元件數(shù) 1
輸出類型 MOS，開路集電極，開路發(fā)射極，TTL
電壓 - 電源，單/雙（±） 3.5 V ~ 30 V，±1.75 V ~ 15 V
電壓 - 輸入失調(diào)（最大值） 7.5mV @ ±15V
電流 - 輸入偏置（最大值） 0.25μA @ ±15V
電流 - 輸出（典型值） -
電流 - 靜態(tài)（最大值） 7.5mA
CMRR，PSRR（典型值） -
傳播延遲（最大值） -
滯后 -
工作溫度 0°C ~ 70°C
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 8-SOIC
基本零件編號(hào) LM311
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比較器經(jīng)過調(diào)節(jié)可以提供極小的時(shí)間延遲，但其頻響特性會(huì)受到一定限制。為避免輸出振蕩，許多比較器還帶有內(nèi)部滯回電路。比較器的閾值是固定的，有的只有一個(gè)閾值，有的具有兩個(gè)閾值。
2011年4月5日，德州儀器（TI）和美國國家半導(dǎo)體（NS）宣布簽署合并協(xié)議，TI將以25美元/股、總額約65億美元的現(xiàn)金價(jià)格，收購國家半導(dǎo)體。本次收購將使業(yè)界共同致力于解決客戶模擬問題的兩個(gè)領(lǐng)導(dǎo)者實(shí)現(xiàn)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手。?
