晶體管 STW25N80K5 半導體產品
發布時間：2018/9/7
STW25N80K5介紹：
描述 MOSFET N-CH 800V 19.5A TO247
制造商標準提前期 42 周
詳細描述 通孔 N 溝道 800V 19.5A（Tc） 250W（Tc） TO-247
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 STMicroelectronics
系列 SuperMESH5??
包裝 管件
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 800V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 19.5A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 260 毫歐 @ 19.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 100μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 40nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1600pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 250W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-247
封裝/外殼 TO-247-3
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晶體管有三個極: 雙極性晶體管的三個極，分別由N型跟P型組成發射極（Emitter）、基極（Base）和集電極（Collector）; 場效應晶體管的三個極，分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）。
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