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晶體管 IRF9640STRLPBF 半導體產(chǎn)品

發(fā)布時間:2018/9/5

IRF9640STRLPBF介紹:

描述 MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK

制造商標準提前期 18 周

詳細描述 表面貼裝 P 溝道 200V 11A(Tc) 3W(Ta),125W(Tc) D2PAK

類別 分立半導體產(chǎn)品

晶體管 - FET,MOSFET - 單

制造商 Vishay Siliconix

系列 -

包裝   帶卷(TR)

零件狀態(tài) 在售

FET 類型 P 溝道

技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss) 200V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) 11A(Tc)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V

不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 500 毫歐 @ 6.6A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 44nC @ 10V

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 3W(Ta),125W(Tc)

工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型 表面貼裝

供應商器件封裝 D2PAK

封裝/外殼 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

安富利(深圳)商貿(mào)有限公司介紹:


公司所銷售產(chǎn)品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

ATMEL(愛特梅爾)、STC單片機、英特爾(Intel) 、德州儀器(TI)、飛利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美國仿真器件(ADI)、國際整流器(IR)、

臺灣硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞薩(Renesas)、東芝(Toshiba)、意法(ST)、

摩托羅拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美國美商半導體(AMD)、愛特梅爾(Atmel)、安捷倫;


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地址:深圳市前海深港合作區(qū)前灣一路1號A棟201

電話:0755-88607867


晶體管有三個極: 雙極性晶體管的三個極,分別由N型跟P型組成發(fā)射極(Emitter)、基極(Base)和集電極(Collector); 場效應晶體管的三個極,分別是源極(Source)、柵極(Gate)和漏極(Drain)。


在二十世紀五十年代,物理學家同時也是現(xiàn)任威世公司的主席和首席技術(shù)及業(yè)務拓展主管Felix Zandman博士獲得了PhotoStress®涂層和儀表的專利。

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