晶體管 MGSF1N03LT1G FET-MOSFET
發布時間：2018/9/3
MGSF1N03LT1G介紹：
描述 MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23
制造商標準提前期 35 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 30V 1.6A（Ta） 420mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包裝 帶卷（TR）
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 1.6A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 100 毫歐 @ 1.2A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.4V @ 250μA
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 140pF @ 5V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 420mW（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 SOT-23-3（TO-236）
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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TTL與非門是將若干個晶體管和電阻元件組成的電路系統集中制造在一塊很小的硅片上，封裝成一個獨立的元件.晶體管是半導體三極管中應用最廣泛的器件之一，在電路中用“V”或“VT”（舊文字符號為“Q”、“BG”等）表示。?晶體管被認為是現代歷史中最偉大的發明之一。
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