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晶體管 IRF5210STRLPBF MOSFET - 單

發布時間:2018/8/31

IRF5210STRLPBF介紹:
描述 MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
詳細描述 表面貼裝 P 溝道 100V 38A(Tc) 3.1W(Ta),170W(Tc) D2PAK
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET?
包裝   帶卷(TR)  
零件狀態 在售
FET 類型 P 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 100V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 38A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 60 毫歐 @ 38A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 230nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 2780pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),170W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 D2PAK
封裝/外殼 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
安富利(深圳)商貿有限公司介紹:

公司所銷售產品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
ATMEL(愛特梅爾)、STC單片機、英特爾(Intel) 、德州儀器(TI)、飛利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美國仿真器件(ADI)、國際整流器(IR)、
臺灣硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞薩(Renesas)、東芝(Toshiba)、意法(ST)、
摩托羅拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美國美商半導體(AMD)、愛特梅爾(Atmel)、安捷倫;

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金屬氧化物半導體場效應管依照其“溝道”極性的不同,可分為電子占多數的N溝道型與空穴占多數的P溝道型,通常被稱為N型金氧半場效晶體管(NMOSFET)與P型金氧半場效晶體管(PMOSFET)。

Infineon公司是全球十大半導體制造商之一。1999年5月1日,西門子半導體公司正式更名為Infineon,總部設在德國慕尼黑。主要生產汽車和工業電子芯片、保密及IC卡應用IC、通訊多媒體芯片、存儲器件等。
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