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晶體管 SI4477DY-T1-GE3 半導體產品

發布時間:2018/8/31

SI4477DY-T1-GE3介紹:
描述 MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC
詳細描述 表面貼裝 P 溝道 20V 26.6A(Tc) 3W(Ta),6.6W(Tc) 8-SO
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包裝   帶卷(TR) 
零件狀態 在售
FET 類型 P 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 20V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 26.6A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 6.2 毫歐 @ 18A,4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 190nC @ 10V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 4600pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3W(Ta),6.6W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 8-SO
封裝/外殼 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
安富利(深圳)商貿有限公司介紹:

公司所銷售產品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌),XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
ATMEL(愛特梅爾)、STC單片機、英特爾(Intel) 、德州儀器(TI)、飛利浦(Philip)、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美國仿真器件(ADI)、國際整流器(IR)、
臺灣硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞薩(Renesas)、東芝(Toshiba)、意法(ST)、
摩托羅拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美國美商半導體(AMD)、愛特梅爾(Atmel)、安捷倫;

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電話:0755-23941780

無論多么優良的電子管,都將因陰極原子的變化和慢性漏氣而逐漸劣化。由于技術上的原因,晶體管制作之初也存在同樣的問題。隨著材料制作上的進步以及多方面的改善,晶體管的壽命一般比電子管長100到1000倍,稱得起永久性器件的美名。

在二十世紀五十年代,物理學家同時也是現任威世公司的主席和首席技術及業務拓展主管Felix Zandman博士獲得了PhotoStress®涂層和儀表的專利。
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