晶體管 IRFD9210PBF MOSFET - 單
發布時間：2018/8/27
IRFD9210PBF介紹：
描述 MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-DIP
制造商標準提前期 16 周
詳細描述 通孔 P 溝道 200V 400mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 -
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零件狀態 在售
FET 類型 P 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 200V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 400mA（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 3 歐姆 @ 240mA，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 8.9nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 170pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1W（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
封裝/外殼 4-DIP（0.300"，7.62mm）
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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