晶體管 SI7850DP-T1-E3 FET -MOSFET
發(fā)布時間：2018/8/14
SI7850DP-T1-E3介紹：
描述 MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 33 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 60V 6.2A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 6.2A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 22 毫歐 @ 10.3A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 27nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 PowerPAK? SO-8
封裝/外殼 PowerPAK? SO-8
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場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，有3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點是柵極的內(nèi)阻極高，采用二氧化硅材料的可以達(dá)到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件。
Vishay 是世界最大的分立半導(dǎo)體和被動元件的制造商之一. Vishay元件用于工業(yè), 計算機(jī), 汽車, 消費, 電信, 軍事, 航空及醫(yī)療市場的各種類型的電子設(shè)備中.
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