晶體管 NTGD4167C MOSFET - 陣列
發布時間：2018/8/14
NTGD4167C介紹：
描述 MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
制造商標準提前期 30 周
詳細描述 Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.6A, 1.9A 900mW Surface Mount 6-TSOP
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
制造商 ON Semiconductor
系列 -
包裝 帶卷（TR）
零件狀態 在售
FET 類型 N 和 P 溝道
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 2.6A，1.9A
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 90 毫歐 @ 2.6A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 5.5nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 295pF @ 15V
功率 - 最大值 900mW
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 SOT-23-6 細型，TSOT-23-6
供應商器件封裝 6-TSOP
基本零件編號 NTGD4167C
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從目前的角度來看MOSFET的命名，事實上會讓人得到錯誤的印象。因為MOSFET里代表“metal”的第一個字母M在當下大部分同類的元件里是不存在的。早期MOSFET的柵極（gate electrode）使用金屬作為其材料
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