晶體管 SI4894BDY-T1-GE3 FET
發布時間：2018/8/8
SI4894BDY-T1-GE3介紹：
描述 MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
制造商標準提前期 27 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 30V 8.9A（Ta） 1.4W（Ta） 8-SO
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 8.9A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 11 毫歐 @ 12A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 38nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1580pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.4W（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 8-SO
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。
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