晶體管 FQP8N80C 半導(dǎo)體產(chǎn)品
發(fā)布時(shí)間：2018/8/7
FQP8N80C介紹：
描述 MOSFET N-CH 800V 8A TO-220
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 35 周
詳細(xì)描述 通孔 N 溝道 800V 8A（Tc） 178W（Tc） TO-220AB
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 QFET?
包裝 ? 管件 ?
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 800V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 8A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 1.55 歐姆 @ 4A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 45nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 2050pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 178W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-220AB
封裝/外殼 TO-220-3
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晶體管比電子管體積小很多，需要空間比電子管小很多，電器使用晶體管可以做的很小。無論多么優(yōu)良的電子管，都將因陰極原子的變化和慢性漏氣而逐漸劣化。由于技術(shù)上的原因，晶體管制作之初也存在同樣的問題。
