晶體管 - FET BUZ11_NR4941 MOSFET
發布時間：2018/7/13
BUZ11_NR4941介紹：
描述 MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB
制造商標準提前期 4 周
詳細描述 通孔 N 溝道 50V 30A（Tc） 75W（Tc） TO-220-3
復制
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 -
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零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 50V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 30A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 40 毫歐 @ 15A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 2000pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 75W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-220-3
封裝/外殼 TO-220-3
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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溝道的極性與其漏極（drain）與源極相同，假設漏極和源極是n型，那么溝道也會是n型。溝道形成后，金氧半場效晶體管即可讓電流通過，而依據施于柵極的電壓值不同，可由金氧半場效晶體管的溝道流過的電流大小亦會受其控制而改變。
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