晶體管 - FET FDMS7558S MOSFET - 單
發布時間：2018/7/11
FDMS7558S介紹：
描述 MOSFET N-CH 25V 32A POWER56
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 26 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 25V 32A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），89W（Tc） 8-PQFN（5x6）
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 25V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 32A（Ta），49A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 1.25 毫歐 @ 32A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 119nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 7770pF @ 13V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），89W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 8-PQFN（5x6）
封裝/外殼 8-PowerTDFN
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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從目前的角度來看MOSFET的命名，事實上會讓人得到錯誤的印象。因為MOSFET里代表“metal”的第一個字母M在當下大部分同類的元件里是不存在的。早期MOSFET的柵極（gate electrode）使用金屬作為其材料。
