晶體管 SG2013J 雙極 (BJT) - 陣列
發布時間：2018/7/10
SG2013J介紹：
描述 TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 含鉛 / 不符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細描述 Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 600mA Through Hole 16-CDIP
類別 分立半導體產品
晶體管 - 雙極 (BJT) - 陣列
制造商 Microsemi Corporation
系列 -
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零件狀態 在售
晶體管類型 7 NPN 達林頓
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 600mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 50V
不同 Ib，Ic 時的 Vce 飽和值（最大值） 1.9V @ 600μA，500mA
電流 - 集電極截止（最大值） -
不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值） 900 @ 500mA，2V
功率 - 最大值 -
頻率 - 躍遷 -
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
封裝/外殼 -
供應商器件封裝 16-CDIP
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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為了提高單電子晶體管的工作溫度，必須使量子點的尺寸小于10納米，目前世界各實驗室都在想各種辦法解決這個問題。有些實驗室宣稱已制出室溫下工作的單電子晶體管，觀察到由電子輸運形成的臺階型電流——電壓曲線，但離實用還有相當的距離。
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