晶體管 - FET US5U38TR MOSFET
發布時間：2018/7/10
US5U38TR介紹：
描述 MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細描述 表面貼裝 P 溝道 20V 1A（Ta） 1W（Ta） TUMT5
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Rohm Semiconductor
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 不適用於新設計
FET 類型 P 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 1A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 390 毫歐 @ 1A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 2.1nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 150pF @ 10V
FET 功能 肖特基二極管（隔離式）
功率耗散（最大值） 1W（Ta）
工作溫度 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 TUMT5
封裝/外殼 6-SMD（5引線），扁引線
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
公司所銷售產品涉及世界各名廠IC,:INFINEON(英飛凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、
ATMEL(愛特梅爾)、STC單片機、英特爾(Intel) 、德州儀器(TI)、飛利浦(Philip）、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美國仿真器件(ADI)、國際整流器(IR)、
臺灣硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞薩(Renesas)、東芝(Toshiba)、意法(ST)、
摩托羅拉(Motorola)、仙童(Fairchid)、美國美商半導體(AMD)、愛特梅爾(Atmel）、安捷倫;
安富利（深圳）商貿有限公司，全球最專業的配單專家。一手貨源!價格優勢！
所出的物料，絕對原裝正品！放心購買！
本公司為一般納稅人，可開16%增值稅票！歡迎垂詢！
地址：深圳市前海深港合作區前灣一路1號A棟201
電話：0755-83259719
以金氧半場效晶體管（MOSFET）的命名來看，事實上會讓人得到錯誤的印象。因為MOSFET跟英文單字“metal（金屬）”的第一個字母M，在當下大部分同類的組件里是不存在的。早期金氧半場效晶體管柵極使用金屬作為材料，但隨著半導體技術的進步，現代的金氧半場效晶體管柵極已用多晶硅取代了金屬。
3.jpg)