晶體管 AOD4N60 FET-MOSFET - 單
發布時間：2018/7/9
AOD4N60介紹：
描述 MOSFET N-CH 600V 4A TO252
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 26 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 600V 4A（Tc） 104W（Tc） TO-252，（D-Pak）
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
系列 -
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 600V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 4A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 2.3 歐姆 @ 2A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 14.5nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 640pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 104W（Tc）
工作溫度 -50°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 TO-252，（D-Pak）
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
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判定柵極G:將萬用表撥至R×1k檔，用萬用表的負極任意接一電極，另一只表筆依次去接觸其余的兩個極，測其電阻.若兩次測得的電阻值近似相等，則負表筆所接觸的為柵極，另外兩電極為漏極和源極.漏極和源極互換，若兩次測出的電阻都很大，則為N溝道;若兩次測得的阻值都很小，則為P溝道。
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