晶體管 IPP126N10N3GXKSA1 MOSFET - 單
發布時間：2018/7/9
IPP126N10N3GXKSA1介紹：
描述 MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 26 周
詳細描述 通孔 N 溝道 100V 58A（Tc） 94W（Tc） PG-TO-220-3
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS??
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零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 58A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 12.3 毫歐 @ 46A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 46μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 35nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 2500pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 94W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 PG-TO-220-3
封裝/外殼 TO-220-3
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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晶體管被認為是現代歷史中最偉大的發明之一，在重要性方面可以與印刷術，汽車和電話等發明相提并論。晶體管實際上是所有現代電器的關鍵活動（active）元件。晶體管在當今社會的重要性，主要是因為晶體管可以使用高度自動化的過程，進行大規模生產的能力，因而可以不可思議地達到極低的單位成本。
