晶體管 FDD1600N10ALZ MOSFET
發布時間：2018/7/5
FDD1600N10ALZ介紹：
描述 MOSFET N CH 100V 6.8A TO252-3
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 39 周
詳細描述 表面貼裝 N 溝道 100V 6.8A（Tc） 14.9W（Tc） DPAK
表面貼裝 N 溝道 100V 6.8A（Tc） 14.9W（Tc） DPAK
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 6.8A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 160 毫歐 @ 3.4A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 3.61nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 225pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 14.9W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 DPAK
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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MOSFET里的氧化層位于其通道上方，依照其操作電壓的不同，這層氧化物的厚度僅有數十至數百埃（Å）不等，通常材料是二氧化硅（silicon dioxide,SiO2），不過有些新的進階制程已經可以使用如氮氧化硅（silicon oxynitride,SiON）做為氧化層之用。
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