晶體管 SI6968BEDQ MOSFET
發布時間：2018/7/4
SI6968BEDQ介紹：
描述 MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-TSSOP
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
制造商標準提前期 22 周
詳細描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 5.2A 1W Surface Mount 8-TSSOP
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 5.2A 1W Surface Mount 8-TSSOP
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 2 N 溝道（雙）共漏
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 5.2A
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 22 毫歐 @ 6.5A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1.6V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 18nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） -
功率 - 最大值 1W
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
供應商器件封裝 8-TSSOP
基本零件編號 SI6968
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因為MOSFET跟英文單字“metal（金屬）”的第一個字母M，在當下大部分同類的組件里是不存在的。早期金氧半場效晶體管柵極使用金屬作為材料，但隨著半導體技術的進步，現代的金氧半場效晶體管柵極已用多晶硅取代了金屬。
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