晶體管 SQJ960EP-T1_GE3 陣列
發布時間：2018/7/3
SQJ960EP-T1_GE3介紹：
描述 MOSFET 2N-CH 60V 8A
對無鉛要求的達標情況 / 對限制有害物質指令(RoHS)規范的達標情況 無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規范要求
濕氣敏感性等級（MSL） 1（無限）
詳細描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 8A 34W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
制造商 Vishay Siliconix
系列 汽車級，AEC-Q101，TrenchFET?
包裝 ? 帶卷（TR） ?
零件狀態 在售
FET 類型 2 個 N 溝道（雙）
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓（Vdss） 60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 8A
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 36 毫歐 @ 5.3A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 20nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 735pF @ 25V
功率 - 最大值 34W
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 PowerPAK? SO-8 雙
供應商器件封裝 PowerPAK? SO-8 Dual
安富利（深圳）商貿有限公司介紹：
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在雙極性晶體管中，射極到基極的很小的電流，會使得發射極到集電極之間，產生大電流；在場效應晶體管中，在柵極施加小電壓，來控制源極和泄極之間的電流。
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